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　　近日，中國電科11所焦平面技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)成功研制硅基碲鎘汞p-on-n型紅外短波探測器芯片。

　　“硅基碲鎘汞紅外探測器典型工作溫度為液氮溫度77開爾文（-196攝氏度），這種低溫工作環(huán)境極大限制了它們的體積、質(zhì)量、功耗、成本的控制，從而限制了紅外探測器的應(yīng)用。”技術(shù)專家表示，11所焦平面技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)持續(xù)攻堅(jiān)材料及器件關(guān)鍵技術(shù)，制備的新型紅外短波探測器芯片在77開爾文溫度下性能良好。在150開爾文（-123攝氏度）溫度下同樣性能良好。

　　該項(xiàng)技術(shù)突破解決了制約短波大面陣技術(shù)發(fā)展的難題，為高性能硅基碲鎘汞探測器技術(shù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。后續(xù)，技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)將持續(xù)創(chuàng)新突破，進(jìn)一步提升探測器芯片性能，早日實(shí)現(xiàn)更高性能紅外探測器芯片的研制。